H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0216 (2006.01)
Patent
CA 2731158
A method of forming a selective emitter in a photovoltaic (PV) crystalline silicon semiconductor wafer involves forming a mask on a front side surface of the wafer to create masked and unmasked areas on the front side surface. A first silicon oxide layer is electrochemically formed at the unmasked areas of the front side surface such that the silicon oxide layer extends into an emitter of the wafer at least as far as a dead zone therein. The mask is removed and the first silicon oxide layer is etched back until substantially all of the first silicon oxide layer is removed. A second silicon oxide layer is then electrochemically formed on the front side surface such that the second silicon oxide layer has sufficient thickness to passivate the front side surface. The method may alternatively involve forming an emitter by diffusing a dopant through a first electrochemically formed silicon oxide layer formed in unmasked areas of a PV crystalline silicon semiconductor wafer having no semi-conductor junction and then etching back the first silicon oxide layer and passivating with a second electrochemically formed silicon oxide layer.
L'invention porte sur un procédé de formation d'un émetteur sélectif dans une tranche de semi-conducteur au silicium cristallin photovoltaïque (PV) qui consiste à former un masque sur une surface de côté avant de la tranche afin de créer des zones masquées et non masquées sur la surface de côté avant. Une première couche d'oxyde de silicium est formée de façon électrochimique au niveau des zones non masquées de la surface de côté avant de telle manière que la couche d'oxyde de silicium s'étend dans un émetteur de la tranche au moins aussi loin qu'une zone morte dans celui-ci. Le masque est retiré et la première couche d'oxyde de silicium est gravée en retrait jusqu'à ce que sensiblement toute la première couche d'oxyde de silicium soit retirée. Une seconde couche d'oxyde de silicium est ensuite formée de façon électrochimique sur la surface de côté avant de telle manière que la seconde couche d'oxyde de silicium ait une épaisseur suffisante pour passiver la surface de côté avant. Le procédé peut selon une variante consister à former un émetteur par diffusion d'un dopant à travers une première couche d'oxyde de silicium formée de façon électrochimique dans des zones non masquées d'une tranche de semi-conducteur au silicium cristallin PV n'ayant pas de jonction semi-conductrice puis à graver en retrait la première couche d'oxyde de silicium et à passiver à l'aide d'une seconde couche d'oxyde de silicium formée de façon électrochimique.
Osipov Alexander
Rubin Leonid Borishovich
Sadlik Bram
Day4 Energy Inc.
Fetherstonhaugh & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1490730