Current and temperature compensated voltage reference

Details Current and temperature compensated voltage reference Current and temperature compensated voltage reference

A - Human Necessities

61

N

A61N 1/37 (2006.01) G05F 3/24 (2006.01)

Patent

CA 2278498

A current and temperature compensated voltage reference circuit operates from a power supply voltage as low as approximately 1.3 Volts. A current reference circuit uses a folded-cascode amplifier to measure the temperature dependent voltages provided by first and second bias circuits, each of which includes two series-coupled diodes or diode-connected bipolar junction transistors (BJTs), and provides a proportional to absolute temperature (PTAT) current in response thereto. A voltage reference circuit uses a PTAT current through a resistor to create a PTAT voltage in series with a diode-voltage, and the resistor value is adjusted until the sum of these voltages is approximately equal to the bandgap voltage of silicon, thereby providing a temperature compensated voltage reference. The reference circuit is suitable for use with an implantable cardiac rythm management system having a battery that provides a power supply voltage approximately between 1.3 Volts and 3.25 Volts.

Circuit à référence de tension compensée en courant et en température, fonctionnant avec une tension d'alimentation basse qui descend jusqu'à environ 1,3 V. Un circuit à référence de courant utilise un amplificateur cascode replié pour mesurer les tensions dépendant de la température fournies par des premier et second circuits de polarisation, chacun d'entre eux comprenant deux diodes en série ou transistors à jonction bipolaire montés en diode, et il fournit en réponse à ces dispositifs un courant en température proportionnelle à absolue (PTAT). Un circuit à référence de tension utilise un courant de type PTAT via une résistance pour établir une tension de type PTAT en série avec une tension de diode, et la valeur de la résistance est adaptée jusqu'à ce que la somme des tensions en question équivale approximativement à la tension de la barrière de potentiel du silicium. Il en résulte une référence de tension compensée en température. Le circuit de référence considéré est utilisable avec un système implantable de gestion du rythme cardiaque ayant une pile qui fournit une tension d'alimentation approximativement comprise entre 1,3 et 3,25 V.

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