Deposition of coatings using an atmospheric pressure plasma jet

C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C

Patent

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C23C 8/00 (2006.01) C23C 16/00 (2006.01) C23C 16/452 (2006.01) C23C 16/513 (2006.01) H05H 1/24 (2006.01) H05H 1/30 (2006.01) H05H 1/42 (2006.01) C23C 16/08 (2006.01) C23C 16/12 (2006.01) C23C 16/18 (2006.01) C23C 16/24 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C23C 16/30 (2006.01) C23C 16/32 (2006.01) C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01)

Patent

CA 2306568

Deposition of coatings using atmospheric pressure plasma jet. The use of a non-thermal source which is capable of operations at 760 torr is demonstrated. As an example of the application of the present invention, a helium/oxygen gas mixture is introduced into the annular region (20) between two coaxial electrodes (14) driven by a 13.56 MHz radio frequency (RF) source (18) at between 40 and 500 W to produce a stable plasma jet. As detected by optical emission spectroscopy (OES), a high flux of metastable oxygen and no ions are present at the exit of this plasma jet. Silicon dioxide films are deposited by introducing tetraethoxysilane (TEOS) into the effluent stream. A deposition rate of 3020 ~ 250 .ANG./min. is achieved with an RF power of 400W, 0.2 torr of TEOS, 1 1.1 torr of oxygen, 748.7 torr of helium, and a total gas flow rate of 41 L/m.

Cette invention concerne le dépôt de revêtements à l'aide d'un jet de plasma à pression atmosphérique. On présente l'utilisation d'une source non thermique qui est capable de fonctionner à une pression de 760 torr. Pour donner un exemple d'application de cette invention, on introduit un mélange d'hélium et d'oxygène dans la région annulaire (20) située entre deux électrodes coaxiales (14) excitées par une source (18) de fréquence radioélectrique (RF) de 13,56 Megahertz entre 40 et 500 watts pour produire un jet de plasma stable. A l'aide de la spectroscopie d'émission avec plasma induit par haute fréquence, on détecte un flux important d'oxygène métastable et l'absence d'ions à la sortie de ce jet de plasma. Des films en dioxyde de silicium sont déposés par introduction de tétrahétoxysilane (TEOS) dans l'écoulement de sortie. Une vitesse de dépôt de 3020 ANGSTROM /min +/- 250 est obtenue à l'aide d'une puissance de fréquence radioélectrique de 400 watts, 0,02 torr de TEOS, 11,1 torr d'oxygène, 748,7 torr d'hélium et un débit d'écoulement gazeux total de 41 L/m.

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