H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/285 (2006.01) C23C 16/02 (2006.01) C23C 16/08 (2006.01) C23C 16/14 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
Patent
CA 2067565
A method is provided for low pressure chemical deposition of tungsten and tungsten metallization for defining interconnects for an integrated circuit. A surface layer of tungsten is provided which has a low film stress and a smooth surface characterized by a low diffuse reflectivity and high specular reflectivity, to facilitate photo-lithography. Tungsten is deposited by reduction of WF6 with H2 and SiH4 in nitrogen. Control of the gas flow rates, pressure, temperature and H2/WF6 ratio in the reactive gas mixture provides for tailoring of the structure and characteristics of a deposited tungsten layer to provide high step coverage or a smooth surface for forming an overlying layer of tungsten which may be patterned photo-lithographically for defining interconnect. In order to provide metallization providing both good step coverage in via and contact holes and smooth surface for deposition of surface metallization, a two-stage tungsten deposition is provided.
Méthode pour le dépôt chimique à basse pression de tungstène et la métallisation en tungstène, permettant d'obtenir des interconnexions dans un circuit imprimé. Une couche superficielle de tungstène à faible charge pelliculaire et surface régulière, avec faible réflectivité diffuse et forte réflectivité spéculaire, facilite la photogravure. Le tungstène est déposé par réduction de WF6 par H2 et SiH4 dans l'azote. La régulation des débits gazeux, de la pression, de la température et du rapport H2/WF6 dans le mélange gazeux réactif permet d'obtenir une couche de tungstène déposé dont la structure et les caractéristiques correspondent à une couverture fortement discontinue ou à une surface régulière pour la formation d'une couche superficielle de tungstène, pouvant être configurée par photogravure et définir ainsi l'interconnexion. Afin d'obtenir une métallisation assurant à la fois une bonne couverture discontinue pour les trous traversants et les trous de contact, ainsi qu'une surface régulière pour le dépôt de métallisation en surface, on prévoit une technique de dépôt de tungstène en deux étapes.
de Wilton Angela C.
Nortel Networks Limited
LandOfFree
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