H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 3/10 (2006.01) H01S 3/02 (2006.01) H01S 3/08 (2006.01) H01S 5/14 (2006.01)
Patent
CA 2363560
The invention relates to a device (300) for tuning the wavelength of the light in an external cavity laser. The external cavity laser comprises an optically amplifying semiconductor chip (310), a first reflecting surface (312), an Anti-Reflection (AR) coated semiconductor chip facet (314), a diffraction grating (330) on which at least part of the beam originating from the AR coated semiconductor chip facet (314) is incident and diffracted back to the optically amplifying semiconductor chip (310), means (320) for collimating the light emitted from the AR coated semiconductor chip facet (314) towards the diffraction grating (330), and a movable part (360) by means of the movement of this said part the wavelength of the light can be tuned in the external cavity laser. The movable part (360) of the external cavity laser exhibits a rotational movement relative to the optical axis of the external cavity laser, the optical axis being defined by the center of the beam propagating between the first and the second reflecting surface, said movement being actuated by an electrodynamic force generated within an integral section of said movable part.
L'invention concerne un dispositif (300) de réglage de la longueur d'onde de la lumière dans un laser à cavité externe. Ce dernier comprend une puce de semiconducteur d'amplification optique (310), une première surface réfléchissante (312), une facette (304) de puce de semiconducteur à couche antiréfléchissante (AR), un réseau de diffraction (330) sur lequel au moins une partie du faisceau provenant de la facette (304) de puce de semiconducteur à couche antiréfléchissante est incidente et diffractée vers la puce (310) d'amplification optique, des organes (320) de collimation de la lumière émise de la facette (304) de puce de semiconducteur à couche antiréfléchissante vers le réseau de diffraction (330), et une partie mobile (360) grâce au mouvement de laquelle la longueur d'onde de la lumière peut être réglée dans le laser à cavité externe. La partie mobile (360) du laser à cavité externe effectue un mouvement de rotation par rapport à l'axe du laser à cavité externe, l'axe optique étant défini par le centre du faisceau se propageant entre la première et la seconde surface réfléchissante, ce mouvement étant commandé par une force électrodynamique générée dans une partie intégrée de ladite partie mobile.
Lock Thomas
Vilhelmsson Kennet
Gowling Lafleur Henderson Llp
Radians Innova Ab
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1737691