C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
23/327, 23/389
C01B 33/18 (2006.01) B01J 8/00 (2006.01) C01B 33/037 (2006.01)
Patent
CA 1128732
ABREGE DESCRIPTIF L'invention concerne un procédé et un dispositif d'élaboration de silicium polycristallin. Le procédé consiste notamment à purifier un bain en fusion de silicium contenant des impuretés par barbotage d'un mélange de chlore et d'oxygène et de cristalliser progressivemet le silicium purifié dans un récipient déplacé verticalement vers le bas dans un gradient vertical de températures croissantes vers le haut. Application à la réalisation de photopiles solaires.
331402
Compagnie Generale D'electricite
Robic Robic & Associes/associates
LandOfFree
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