B - Operations – Transporting – 82 – B
Patent
B - Operations, Transporting
82
B
B82B 3/00 (2006.01) H01J 37/317 (2006.01) H01L 49/00 (2006.01)
Patent
CA 2382984
The invention relates to electronic and vacuum technology, in particular to devices for forming various structures and coatings on semiconductor wafers and can be used for developing new generation semiconductor items. Said invention makes it possible to develop the devices for producing nanostructures which are used for manufacturing the semiconductor items having high-scale integration, and also high resolution optical instruments. The inventive device comprises a vacuum chamber provided with a pumping and annealing system, a unit for introducing the semiconductor wafers into the chamber, a controllable energy ion source, a mass-separator, an electron detector, a holder for the semiconductor wafer, a device for measuring the ion current, a quadrupole mass-analyzer and a computer provided with a monitor and interface. Axes of column of the ion beam transportation, an optical microscope and electron projector are arranged on the same plane as a normal line to the semiconductor wafer in a working position thereof and intercross at the same point on the front face of the wafer. An optical microscope and electron projector are arranged on the front face of the wafer and have a minimal angle therebetween. The vacuum chamber is capable of producing a vacuum equal to 5x10-10 Torr. The ion beam diameter can range from 0.9 mkm to 1.5 mkm with the ion energy of 5 keV. The computer and interface are embodied in such away that it is possible to scan the ion beam with respect to a set of pads by moving the wafer along determined axes of the pads, to obtain images of the wafer surface expressed in secondary electrons and to align the ion and electron beam rasters on the wafer surface.
L'invention relève des techniques électroniques et sous vide et notamment des installations pour former différentes structures à la surface de plaquettes de semi-conducteur; elle peut servir dans la création d'instruments à semi-conducteurs de nouvelle génération ainsi que dans la conception d'instruments optiques. L'invention permet de créer des installations destinées à la fabrication de nanostructures adaptées à la fabrication d'instruments à semi-conducteurs à degré d'intégration très élevé ainsi que d'instruments optiques à résolution très élevée. L'installation comprend une chambre à vide, avec des systèmes d'évacuation d'air par pompage et de cuisson, un dispositif d'introduction de plaquettes de semi-conducteur dans la chambre, une source d'ions à énergie contrôlable, un séparateur de masse, un détecteur d'électrons, un support pour plaquette de semi-conducteur, un appareil de mesure du courant d'ions, un analyseur de masse à quadripôle et un ordinateur avec moniteur et interface. Les axes de la colonne de transport du faisceau d'ions, du microscope optique et du canon électronique sont disposés dans le même plan que la normale de la plaquette de semi-conducteur en position de travail et se croisent dans un point situé à la surface avant de la plaquette. Le microscope optique et le canon électronique sont disposés du côté de la face avant de la plaquette, et l'angle entre eux est réduit au minimum. La chambre à vide permet d'atteindre un vide allant jusqu'à 5 x 10(-10) Torr. Le diamètre du faisceau d'ions peut être compris entre 0,9 micromètres et 1,5 micromètres, avec une énergie d'ions de 5 kEW. L'ordinateur et l'interface sont aménagés de manière à permettre le balayage du faisceau d'ions sur un ensemble de sites par déplacement de la plaque selon les coordonnées prédéterminées des sites, l'obtention d'images de la surface de la plaque en électrons secondaires et le repérage du faisceau d'ions et du faisceau d'électrons à la surface de la plaquette.
Kibalov Dmitry Stanislavovich
Smirnov Valery Konstantinovich
Goudreau Gage Dubuc
Sceptre Electronics Limited
LandOfFree
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