G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 6/42 (2006.01) H01L 31/0232 (2006.01) H01S 5/02 (2006.01)
Patent
CA 2279910
The device is formed on a silicon-on-insulartor chip (which comprises a layer of silicon (1) separated from a substrate (3) by an insulator layer (2)) and comprises an integrated waveguide (4) formed in the silicon layer (1) and a reflective facet (6) formed in a recess in the silicon layer (1). The facet (6) is positioned to redirect light in a desired direction. The waveguide (4) and facet (6) are both formed in the silicon layer (1) so their positions can be defined by the same lithographic steps so they are automatically aligned with each other.
La présente invention concerne un dispositif formé sur une puce de silicium sur isolant (comprenant une couche de silicium (1) séparée d'un substrat (3) par une couche isolante (2)), lequel dispositif comprend un guide d'onde intégré (4) formé dans la couche de silicium (1) et une facette réfléchissante (6) formée dans un évidement de la couche de silicium (1). La facette réfléchissante (6) est placée de manière qu'elle réoriente la lumière dans une direction désirée. Le guide d'onde (4) et la facette réfléchissante (6) sont tous deux formés dans la couche de silicium (1) de manière que leurs positions peuvent être définies par les mêmes opérations lithographiques et qu'elles sont par conséquent automatiquement alignées l'une par rapport à l'autre.
Asghari Mehdi
Gorton Stephen
Harpin Arnold Peter Roscoe
Morris Robin Jeremy Richard
Rickman Andrew George
Bookham Technology Limited
Bookham Technology Plc
Fetherstonhaugh & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1788401