H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/026 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01S 3/18 (1995.01)
Patent
CA 2146407
Procédé de décalage de longueur d'onde dans une structure semiconductrice à puits quantique A partir d'une face supérieure (4) d'une structure semiconductrice (1) du type III-V, on induit à chaud une interdiffusion d'éléments entre les puits et les barrières d'une structure quantique interne (10). Cette interdiffusion est réalisée seulement dans un segment (SC) dont la longueur d'onde caractéristique doit être décalée pour constituer un modulateur d'amplitude, un autre segment de la structure (SL) ) incluant un réseau de Bragg (22) pour constituer un émetteur laser. Selon l'invention elle est induite par une couche (18) d'indium maintenue au contact de la face supérieure (4) par une couche diélectrique d'encapsulation (20). L'invention s'applique notamment aux télécommunications optiques.
Emery Jean-Yves
Goldstein Leon
Alcatel N.v.
Robic
LandOfFree
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