Diamond electron emission cathode, electron emission source,...

H - Electricity – 01 – J

Patent

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Details

H01J 1/15 (2006.01) H01J 37/06 (2006.01) H01J 37/305 (2006.01)

Patent

CA 2608851

It is possible to provide an electron emission cathode, an electron emission source having a high-luminance and narrow energy width by using diamond and an electronic device using them. The diamond electron discharge cathode has a monocrystal diamond at least at a part of it. The diamond electron emission cathode has a columnar shape including a sharpened section and a heating section. The sharpened section has an electron emission section. The electron emission section and the heating section are formed by diamond semiconductor, which is formed by a p-type semiconductor containing 2 ~ 1015 cm-3 of p-type impurities or above. The electron emission section has the semiconductor. A metal layer is formed on the surface of the electron emission cathode. The metal layer exists at least at a part of the heating section. The distance from the electron emission section to the position nearest to the end of the metal layer is 500 µm. A pair of current introduction terminals supplies current to the heating section to heat the heating section. A part of the introduced electrons is emitted from the electron emission section.

La présente invention concerne une cathode d'émission d'électrons et une source d'émission d'électrons à luminance élevée et largeur d'énergie réduite à base de diamant, ainsi qu'un dispositif électronique les utilisant. La cathode de décharge d'électrons en diamant comprend, dans l'une de ses parties au moins, un diamant monocristallin. La cathode d'émission d'électrons a la forme d'une colonne comprenant une zone pointue et une zone de chauffe. La zone pointue inclut une section d'émission d'électrons. La section d'émission d'électrons et la zone de chauffe se composent d'un semiconducteur en diamant correspondant à un semiconducteur de type p qui contient 2 × 1015 cm-3 d'impuretés de type p ou plus. La section d'émission d'électrons comprend le semiconducteur. Une couche métallique est formée à la surface de la cathode d'émission d'électrons. La couche métallique est située au moins dans une partie de la zone de chauffe. La distance entre la section d'émission d'électrons et la position la plus proche de l'extrémité de la couche métallique est de 500 µm. Deux bornes d'injection de courant alimentent la zone de chauffe pour la chauffer. Une partie des électrons injectés est émise à partir de la section d'émission d'électrons.

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