H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 1/15 (2006.01) H01J 37/06 (2006.01) H01J 37/305 (2006.01)
Patent
CA 2608982
It is possible to provide an electron emission cathode, an electron emission source having a high-luminance and narrow energy width by using diamond and an electronic device using them. The diamond electron discharge cathode has a monocrystal diamond at least at a part of it. The diamond electron emission cathode includes a sharpened section and a heating section. The diamond electron emission cathode has a columnar shape having the sharpened section having an electron emission section and is formed by at least two types of semiconductor having different electric characteristics. One of the types constituting the semiconductor is an n-type semiconductor containing 2 ~ 1015 cm-3 of n-type impurities or above and the other type is a p-type semiconductor containing 2 ~ 1015 cm-3 of p-type impurities or above. The p- type semiconductor is in contact with the n-type semiconductor. A pair of current introduction terminals directly heats the heating section in parallel to the contact surface and emits a part of the introduced electrons from the electron emission section.
La présente invention concerne une cathode d'émission d'électrons et une source d'émission d'électrons à luminance élevée et largeur d'énergie réduite à base de diamant, ainsi qu'un dispositif électronique les utilisant. La cathode de décharge d'électrons en diamant comprend, dans l'une de ses parties au moins, un diamant monocristallin. La cathode d'émission d'électrons comprend une zone pointue et une zone de chauffe. La cathode d'émission d'électrons en diamant a la forme d'une colonne dont la zone pointue comporte une section d'émission d'électrons. Ladite cathode est constituée de semiconducteurs de deux types au moins qui offrent des caractéristiques électriques différentes : l'un correspond à un semiconducteur de type n contenant 2 × 1015 cm-3 d'impuretés de type n ou plus, tandis que l'autre est un semiconducteur de type p contenant 2 × 1015 cm-3 d'impuretés de type p ou plus. Le semiconducteur de type p est en contact avec le semiconducteur de type n. Deux bornes d'injection de courant chauffent directement la zone de chauffe parallèlement à la surface de contact et émettent une partie des électrons injectés à partir de la section d'émission d'électrons.
Imai Takahiro
Nishibayashi Yoshiki
Ueda Akihiko
Yamamoto Yoshiyuki
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
Diamond electron emission cathode, electron emission source,... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Diamond electron emission cathode, electron emission source,..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Diamond electron emission cathode, electron emission source,... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1866875