H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 1/15 (2006.01) H01J 37/06 (2006.01) H01J 37/305 (2006.01)
Patent
CA 2608548
It is possible to provide an electron emission cathode, an electron emission source having a high-luminance and narrow energy width by using diamond and an electronic device using them. The diamond electron discharge cathode has a monocrystal diamond at least at a part of it. The diamond electron emission cathode has a columnar shape having a sharpened portion at a part of the electron emission section and is formed by at least two types of semiconductor having different electric characteristics. One of the types constituting the semiconductor is an n-type semiconductor containing 2 ~ 1015 cm-3 of n-type impurities or above and the other type is a p-type semiconductor containing 2 ~ 1015 cm-3 of p-type impurities or above. The p-type semiconductor is in contact with the n-type semiconductor and negative potential is applied to the n-type semiconductor with respect to the p-type semiconductor so that electrons flow from the n-type semiconductor to the p-type semiconductor by a pair of current introduction terminals, and the n-type semiconductor contains such a component that the electrons flow into the electron emission unit.
La présente invention concerne une cathode d'émission d'électrons et une source d'émission d'électrons à luminance élevée et largeur d'énergie réduite à base de diamant, ainsi qu'un dispositif électronique les utilisant. La cathode de décharge d'électrons en diamant comprend, dans l'une de ses parties au moins, un diamant monocristallin. La cathode d'émission d'électrons en diamant a la forme d'une colonne comportant une zone pointue dans une partie de la section d'émission d'électrons. Ladite cathode comprend des semiconducteurs de deux types au moins qui offrent des caractéristiques électriques différentes : l'un correspond à un semiconducteur de type n contenant 2 × 1015 cm-3 d'impuretés de type n ou plus, tandis que l'autre est un semiconducteur de type p contenant 2 × 1015 cm-3 d'impuretés de type p ou plus. Le semiconducteur de type p est en contact avec le semiconducteur de type n et un potentiel négatif est appliqué au semiconducteur de type n par rapport au semiconducteur de type p de sorte que les électrons circulent du semiconducteur de type n au semiconducteur de type p au travers de deux bornes d'injection de courant. En outre, le semiconducteur de type n contient un composant propre à diriger le flux d'électrons dans l'unité d'émission d'électrons.
Imai Takahiro
Nishibayashi Yoshiki
Ueda Akihiko
Yamamoto Yoshiyuki
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2058735