Diamondoid-containing materials in microelectronics

Details Diamondoid-containing materials in microelectronics Diamondoid-containing materials in microelectronics

H - Electricity

01

L

H01L 23/36 (2006.01) C07C 4/00 (2006.01) C07C 7/04 (2006.01) C07C 7/12 (2006.01) C07C 7/135 (2006.01) C07C 13/64 (2006.01) C07C 17/10 (2006.01) C07C 17/16 (2006.01) C07C 17/383 (2006.01) C07C 17/395 (2006.01) C07C 23/20 (2006.01) C07C 47/347 (2006.01) C07C 49/423 (2006.01) C07C 205/05 (2006.01) C08G 61/00 (2006.01) C08G 61/02 (2006.01) C08G 83/00 (2006.01) C08L 65/00 (2006.01)

Patent

CA 2434791

Novel uses of diamondoid-containing materials in the field of microelectronics are disclosed. Embodiments include, but are not limited to, thermally conductive films in integrated circuit packaging, low-k dielectric layers in integrated circuit multilevel interconnects, thermally conductive adhesive films, thermally conductive films in thermoelectric cooling devices, passivation films for integrated circuit devices (ICs), and field emission cathodes. The diamondoids employed in the present invention may be selected from lower diamondoids, as well as the newly provided higher diamondoids, including substituted and unsubstituted diamondoids. The higher diamondoids include tetramantane, pentamantane, hexamantane, heptamantane, octamantane, nonamantane, decamantane, and undecamantane. The diamondoid-containing material may be fabricated as a diamondoid-containing polymer, a diamondoid- containing sintered ceramic, a diamondoid ceramic composite, a CVD diamondoid film, a self-assembled diamondoid film, and a diamondoid-fullerene composite.

La présente invention concerne de nouvelles utilisations de matériaux diamantoïdés pour la micro-électronique. Les principales réalisation concernent essentiellement des films thermoconducteurs pour les boîtiers de circuits intégrés, les couches diélectriques à faible constante diélectrique dans les interconnexions multiniveau des circuits intégrés, les films adhésif thermoconducteurs, les films thermoconducteurs des dispositifs de refroidissement thermoélectriques, les films de passivation pour les dispositifs à circuits intégrés et les cathodes à émission de champ. Les diamantoïdes entrant dans le champ de l'invention sont essentiellement les diamantoïdes inférieurs ainsi que les diamantoïdes supérieurs de l'invention, y-compris les diamantoïdes substitués et non substitués. Les diamantoïdes supérieurs sont essentiellement les tétramantane, pentamantane, hexamantane, heptamantane, octamantane, nonamantane, décamantane, et undécamantane. Les matériaux diamantoïdés peuvent se fabriquer sous forme de polymères diamantoïdés, de céramiques frittés diamantoïdées, de composite diamantoïde et céramique, de film diamantoïde en dépôt chimique en phase vapeur, de film diamantoïde auto-assemblé, et de composite diamantoïde et fullerène.

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