G - Physics – 01 – N
Patent
G - Physics
01
N
G01N 21/00 (2006.01) G01N 21/35 (2006.01) G01N 21/39 (2006.01) H01S 5/14 (2006.01)
Patent
CA 2203775
Contaminants are detected at concentrations below 1 part-per-million and extending to a level approaching 1 part-per-trillion by using intracavity laser spectroscopy (ILS) techniques. An optically-pumped solid-state (ILS laser) (500) is employed as a detector. The ILS laser (500) comprises an ion- doped crystal (507) in a laser cavity (902) optically pumped by a pumping source (100). A gas sample containing gaseous contaminant species is placed inside the laser cavity (902) on one side of crystal (507). The ILS laser output signal is detected and analyzed to identify the gaseous species (via its spectral signature). Gaseous species concentration can also be determined from the spectral signature. In one embodiment, the ILS laser (500) comprises an ion-doped crystal medium (507) which is pumped by a semiconductor diode laser. In another embodiment, the ILS laser (500) comprises an ion-doped crystal medium (507) in a linear cavity (902).
On détecte les contaminants en concentrations inférieures à 1 partie par million et jusqu'à un niveau approchant 1 partie par billion par des techniques de spectroscopie laser intracavité (ILS). Un laser solide pompé optiquement (laser ILS) (500) est utilisé comme détecteur. Ledit laser ILS (500) comporte un cristal dopé par implantation ionique (507) situé dans une cavité laser (902), pompé optiquement par une source de pompage (100). Un échantillon de gaz contenant des espèces contaminantes gazeuses est placé à l'intérieur de la cavité laser (902) sur un côté du cristal (507). Le signal de sortie du laser ILS est détecté et analysé de sorte que l'espèce gazeuse puisse être identifiée (par sa signature spectrale). On peut également déterminer la concentration de l'espèce gazeuse à partir de la signature spectrale. Dans un mode de réalisation, le laser ILS (500) comporte un support de cristal (507) dopé par implantation ionique qui est pompé par une diode laser à semiconducteur. Dans un autre mode de réalisation, le laser ILS (500) comporte un support de cristal (507) dopé par implantation ionique, situé dans une cavité linéaire (902).
Atkinson George H.
Hineman Max
Kalisky Yehoshua
Mehdizadeh Esmail
Wolperdinger Markus
Innovative Lasers Corporation
Sim & Mcburney
LandOfFree
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