H - Electricity – 03 – D
Patent
H - Electricity
03
D
H03D 9/06 (2006.01)
Patent
CA 2736162
The invention relates to devices comprising field effect transistors to detect the power of an electromagnetic high frequency signal V RF According to the prior art, the high frequency signal is coupled into the gate G and via a capacitor C GD into the drain D of the field effect transistor FET, the gate G being biased with a direct voltage V g which corresponds to the threshold value of the FET transistor. The resulting current at the source S contains a direct current portion I ds which is proportional to the square of the amplitude of the high frequency signal The operating frequency of said power detectors is limited to a few gigahertz (GHz) by the discrete arrangement and especially by the predetermined gate length of the field effect transistor The aim of the invention is to improve a resistive mixer in such a manner that it can be operated at high gigahertz and terahertz frequencies. For this purpose, the resistive mixer comprises a line which has a first and a second electrical conductor having respective connecting contacts so that an electrical high frequency signal can be coupled into the line, the first conductor having a plurality of series- connected voltage-dependent resistor elements (R) and at least one capacitive element (C) being interposed between the first and the second conductor.
Dans l'état de la technique figurent des dispositifs comportant des transistors à effet de champ qui permettent la détection de la puissance d'un signal électromagnétique haute fréquence V RF. Le signal haute fréquence est injecté dans la grille G et via un condensateur C GD dans le drain D du transistor à effet de champ FET, la grille G étant précontrainte avec une tension continue V g qui correspond à la valeur seuil du transistor FET. Le courant qui en résulte à la source S contient alors une composante de courant continu I ds qui est proportionnelle au carré de l'amplitude du signal haute fréquence. Selon l'invention, la fréquence de fonctionnement de ces détecteurs de puissance est limitée à quelques gigahertz (GHz) par l'agencement discret et en particulier par la longueur de grille prédéterminée du transistor à effet de champ. A cet égard, l'invention a pour objet d'apporter des améliorations à un mélangeur résistif de sorte qu'il peut fonctionner à des fréquences élevées de l'ordre du gigahertz et du térahertz. A cet effet, l'invention concerne un mélangeur résistif présentant une ligne qui présente un premier et un deuxième conducteur électrique qui présentent respectivement un contact de connexion de sorte qu'un signal électrique haute fréquence peut être injecté dans la ligne, le premier conducteur présentant une pluralité d'éléments résistifs (R) dépendant de la tension, connectés en série, et au moins un élément capacitif (C) se trouvant entre le premier et le deuxième conducteur.
Lisauskas Alvydas
Oejefors Erik
Pfeiffer Ullrich
Roskos Hartmut G.
Bergische Universitaet Wuppertal
Johann Wolfgang Goethe-Universitaet Frankfurt A.m.
Shapiro Cohen
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1793942