H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/00 (2006.01) C30B 11/00 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/414 (2006.01) G01N 33/543 (2006.01) G11C 13/02 (2006.01) H01L 23/532 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) H01L 29/207 (2006.01) H01L 29/267 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2417992
A bulk-doped semiconductor that is at least one of the following: a single crystal, an elongated and bulk-doped semiconductor that, at any point along its longitudinal axis, has a largest cross-sectional dimension less than 500 nanometres, and a free-standing and bulk-doped semiconductor with at least one portion having a smallest width of less than 500 nanometres. Such a semiconductor may be elongated. Such a semiconductor may be a single crystal and may be free-standing. Such a semiconductor may be doped during growth. Such a semiconductor may be part of a device, which may include any of a variety of devices and combinations thereof, and a variety of assembling techniques may be used to fabricate devices from such a semiconductor. Two or more of such a semiconductor, including an array of such semiconductors, may be combined to form devices, for example, to form a crossed p- n junction of a device.
La présente invention concerne semi-conducteur dopé dans la masse, en l'occurrence, un monocristal, un semi-conducteur dopé dans la masse, de forme allongée et présentant en un point quelconque de son axe longitudinal une plus grande dimension en coupe de moins de 500 nm, ou enfin d'un semi-conducteur autonome dopé dans la masse dont au moins une partie présente une largeur de moins de 500 nm. Ce semi-conducteur peut comprendre un noyau intérieur fait d'un premier matériau semi-conducteur et une enveloppe extérieure en un matériau différent de celui du premier semi-conducteur. Ce semi-conducteur peut être de forme allongée et présenter en coupe en un point quelconque de son axe longitudinal un rapport [longueur]/[plus grande largeur] supérieur à 4:1, à 10:1, à 100:1, ou même à 1000:1. La plus petite largeur sur une partie au moins de ce semi-conducteur peut être inférieure à 200 nm, 150 nm, 100 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 40 nm, 20 nm, 10 nm, ou même à 5 nm. Ce semi-conducteur monocristal ou autonome peut être légèrement ou fortement dopé N ou P, le dopage étant réalisé pendant le tirage. Un tel semi-conducteur peut s'intégrer à un dispositif s'incorporant lui-même à divers dispositifs et combinaisons de dispositifs, diverses techniques d'assemblage pouvant être mises en oeuvre pour la fabrication. Ces semi-conducteurs et matrices de semi-conducteurs se prêtent à des combinaisons de dispositifs, par exemple pour former une jonction P-N croisée de dispositifs. Réalisés sous certaines dimensions ces dispositifs peuvent être le siège de phénomènes quantiques et notamment un confinement, la largeur choisie déterminant la longueur d'ondes de la lumière émise. Ces semi-conducteurs et dispositifs conviennent particulièrement à diverses applications.
Cui Yi
Duan Xiangfeng
Huang Yu
Lieber Charles M.
Cassan Maclean
President And Fellows Of Harvard College
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2076404