C - Chemistry – Metallurgy – 04 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
04
B
C04B 35/50 (2006.01) C04B 35/515 (2006.01) C30B 29/10 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01) H01L 21/18 (2006.01) H01L 29/16 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2513574
The present invention relates to a doped semiconductor nanocrystal layer comprising (a) a group IV oxide layer which is free of ion implantation damage, (b) from 30 to 50 atomic percent of a semiconductor nanocrystal distributed in the group IV oxide layer, and (c) from 0.5 to 15 atomic percent of one or more rare earth element, the one or more rare earth element being (i) dispersed on the surface of the semiconductor nanocrystal and (ii) distributed substantially equally through the thickness of the group IV oxide layer. The present invention also relates to a semiconductor structure comprising the above semiconductor nanocrystal layer and to processes for preparing the semiconductor nanocrystal layer. Furthermore, photonic devices employing the new materials are also provided. The invention provides a doped semiconductor powder comprising nanocrystals of a group IV semiconductor and a rare earth element, the rare earth element being dispersed on the surface of the group IV semiconductor nanocrystals. The invention also provides processes for the preparation of the above doped semiconductor powder, a composite material comprising the a matrix in which is dispersed a doped semiconductor powder, and photonic devices comprising doped semiconductor powders and doped semiconductor layers.
La présente invention concerne une couche de nanocristal semi-conducteur dopée comprenant (a) une couche d'oxyde de métal du groupe IV qui est exempte de dommages résultant de l'implantation d'ions, (b) de 30 à 50 % atomique d'un nanocristal semi-conducteur réparti dans la couche d'oxyde de métal du groupe IV, et (c) 0,5 à 15 % atomique d'au moins un élément des terres rares qui est (i) dispersé sur la surface du nanocristal semi-conducteur et (ii) distribué de façon sensiblement régulière dans toute l'épaisseur de la couche d'oxyde de métal du groupe IV. La présente invention concerne également une structure semi-conductrice comprenant la couche de nanocristal semi-conducteur susmentionnée, ainsi que des procédés de préparation de cette couche de nanocristal semi-conducteur. Des dispositifs photoniques comportant ces nouvelles matières sont également décrits. L'invention concerne de plus une poudre semi-conductrice dopée comprenant des nanocristaux d'un semi-conducteur du groupe IV et d'un élément des terres rares, ce dernier étant dispersé sur la surface des nanocristaux de semi-conducteurs du groupe IV. L'invention concerne aussi des procédés de préparation de la poudre semi-conductrice dopée susmentionnée, un matériau composite comprenant la matrice dans laquelle est dispersée une poudre semi-conductrice dopée, ainsi que des dispositifs photoniques comprenant des poudres semi-conductrices dopées et des couches semi-conductrices dopées.
Group IV Semiconductor Inc.
Teitelbaum & Maclean
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1358344