Doped semiconductor nanocrystals and methods of making same

Details Doped semiconductor nanocrystals and methods of making same Doped semiconductor nanocrystals and methods of making same

C - Chemistry, Metallurgy

30

B

C30B 31/04 (2006.01) B82Y 5/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)

Patent

CA 2609650

A method of synthesizing doped semiconductor nanocrystals. In one embodiment, the method includes the steps of combining a metal oxide or metal salt precursor, a ligand, and a solvent to form a metal complex in a reaction vessel; admixing an anionic precursor with the metal complex at a first temperature, T1, sufficient to form a plurality of host nanocrystals; doping a metal dopant onto the plurality of the host nanocrystals at a second temperature, T2, such that a layer of the metal dopant is formed substantially over the surface of a host nanocrystal that receives a metal dopant; and adding a mixture having the anionic precursor and the metal oxide or metal salt precursor at a third temperature, T3, into the reaction vessel to allow regrowth of host nanocrystals on the surface of the layer of the metal dopant formed substantially over the surface of a host nanocrystal that receives a metal dopant to form a plurality of doped nanocrystals, wherein the doped nanocrystals show a characteristic of semiconductor.

L'invention concerne un procédé de synthèse de nanocristaux semiconducteurs dopés. Dans un mode de réalisation, ce procédé consiste: à associer un oxyde métallique ou un précurseur de sel métallique, un ligand et un solvant pour former un complexe métallique dans une cuve de réaction; à mélanger un précurseur anionique avec ce complexe métallique à une première température T1, suffisante pour former une pluralité de nanocristaux hôtes; à doper un dopant métallique sur la pluralité de nanocristaux hôtes à une deuxième température T2, de sorte qu'une couche du dopant métallique soit formée sensiblement par-dessus la surface d'un nanocristal hôte qui reçoit un dopant métallique; et à ajouter un mélange contenant le précurseur anionique et l'oxyde métallique ou le précurseur de sel métallique à une troisième température T3 dans la cuve de réaction pour permettre une nouvelle croissance de nanocristaux hôtes sur la surface de la couche de dopant métallique formée sensiblement par-dessus la surface d'un nanocristal hôte qui reçoit un dopant métallique pour former une pluralité de nanocristaux dopés, ces nanocristaux dopés présentant une caractéristique de semiconducteur.

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