H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2220031
A double heterostructure (24) for a light emitting diode (20) comprises a layer of aluminum gallium nitride a first conductivity type (25); a layer of aluminum gallium nitride having the opposite conductivity type (27); and an active layer of gallium nitride (26) between the aluminum gallium nitride layers, in which the gallium nitride layer is co-doped with both a Group II acceptor and a Group IV donor, with one of the dopants being present in an amount sufficient to give the gallium nitride layer a net conductivity type, so that the active layer forms a p-n junction with the adjacent layer of aluminum gallium nitride having the opposite conductivity type.
L'invention porte sur une hétérostructure double (24) pour diode électroluminescente (20) comprenant une couche d'aluminium et de nitrure de gallium d'une conductivité d'un premier type (25), une couche d'aluminium et de nitrure de gallium de conductivité du type opposé (27), et une couche active de nitrure de gallium (26) située entre les deux précédentes. Selon cette invention, la couche de nitrure de gallium est co-dopée au moyen d'un accepteur du Groupe II et d'un donneur du Groupe IV, l'un des dopants se présentant en quantité suffisante pour donner à la couche de nitrure de gallium une conductivité de type résultant, de sorte que la couche active constitue un jonction p-n avec la couche adjacente d'aluminium et de nitrure de gallium à conductivité du type opposé.
Edmond John Adam
Kong Hua-Shuang
Cree Inc.
Cree Research Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1954005