H - Electricity – 02 – M
Patent
H - Electricity
02
M
H02M 1/08 (2006.01)
Patent
CA 2734701
In order to obtain a drive circuit of a power semiconductor device capable of making a fast response to a voltage fluctuation dV/dt and preventing a malfunction of the power semiconductor device while suppressing power consumption with a simple circuit configuration, a control circuit controlling ON and OFF switching of the power semiconductor device, a DC power supply supplying a voltage between control terminals of the power semiconductor device, and a switching element connected between the control terminals of the power semiconductor device are provided. The switching element turns ON in a case where a power supply voltage of the DC power supply drops or in a case where the voltage between the control terminals of the power supply device increases in a state where the power supply voltage of the DC power supply has dropped, and thereby causes a short-circuit between the control terminals of the power semiconductor device.
L'invention porte sur un circuit d'attaque pour un élément à semi-conducteurs de puissance, qui peut permettre d'obtenir une réponse haute vitesse à un changement de tension (dV/dt) tout en réduisant une consommation de puissance et en empêchant le dysfonctionnement de l'élément à semi-conducteurs de puissance par une configuration de circuit simple. Le circuit d'attaque pour l'élément à semi-conducteurs de puissance comporte un circuit de commande pour réaliser une commande marche/arrêt de l'élément à semi-conducteurs de puissance, une alimentation électrique en courant continu pour alimenter une tension entre des bornes de commande de l'élément à semi-conducteurs de puissance, et un élément de commutation connecté entre les bornes de commande de l'élément à semi-conducteurs de puissance. L'élément de commutation est activé lorsque la tension d'alimentation de l'alimentation électrique en courant continu diminue ou est activé lorsque la tension entre les bornes de commande de l'élément à semi-conducteurs de puissance augmente tandis que la tension d'alimentation électrique de l'alimentation électrique en courant continu diminue pour ainsi provoquer un court-circuit entre les bornes de commande de l'élément à semi-conducteurs de puissance.
Nakagawa Ryosuke
Nakayama Yasushi
Marks & Clerk
Mitsubishi Electric Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1878265