H - Electricity – 05 – B
Patent
H - Electricity
05
B
H05B 6/68 (2006.01) H05B 6/66 (2006.01)
Patent
CA 2359824
The present invention relates to a driving circuit of a DC microwave oven and a method of controlling the same for driving a magnetron through a conversion of a DC voltage into an AC voltage. The driving circuit includes an excessive current detecting unit is provided for detecting a current supplied from the DC power supply to the inverting unit, and outputting an excessive current detecting signal to the pulse driving unit to cut off the generation of the driving pulses of the pulse driving unit if the detected current corresponds to an excessive current. The driving method includes a) driving the pulse driving unit by controlling the switching unit if a cooking chamber door is closed and a cooking start selection signal is inputted; b) detecting whether an excessive current is supplied to the high voltage transformer through the inverting unit driven by the pulse driving unit; and c) cutting off the voltage supply to the magnetron by stopping the driving of the pulse driving unit if the excessive current is detected.
La présente invention concerne le circuit d'attaque d'un four à micro-ondes à courant continu et son procédé de commande permettant d'attaquer un magnétron par conversion d'une tension à courant continu en tension à courant alternatif. Ce circuit d'attaque comprend un dispositif de détection de surintensité qui permet de détecter un courant provenant d'une source de courant continu et fourni au dispositif d'inversion, et de produire un signal de détection de surintensité pour le dispositif d'attaque d'impulsions afin qu'il arrête sa production d'impulsions d'attaque si le courant détecté correspond à une surintensité. Ce procédé d'attaque consiste à: (a) attaquer le dispositif d'attaque d'impulsions en contrôlant le dispositif de commutation si la porte de la chambre de cuisson est fermée, un signal de sélection de début de cuisson étant introduit; (b) détecter si une surintensité est fournie au transformateur haute tension par le biais du dispositif d'inversion attaqué par le dispositif d'attaque d'impulsion; et (c) couper la source de tension vers le magnétron en arrêtant l'attaque du dispositif d'attaque d'impulsions si une surintensité est détectée.
Han Yong Woon
Jang Seong Deog
Kang Kwang Seok
Sung Han Jun
Gowling Lafleur Henderson Llp
Samsung Electronics Co. Ltd.
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2087810