H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/311 (2006.01) H01L 21/321 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) H01L 23/52 (2006.01) H01L 23/528 (2006.01)
Patent
CA 2456301
A semiconductor structure for providing metal interconnections (140) and a method for electropolishing a metal layer on a semiconductor structure. A semiconductor structure includes a dielectric layer (151) with recessed areas (151r) and non-recessed areas (151n), a metal layer formed on the structure fills the recessed areas to form interconnection lines, and a plurality of dummy structures (130) placed adjacent the interconnect lines. The method includes forming a dielectric layer with recessed and non-recessed areas on a semiconductor wafer. Forming dummy structures adjacent the recessed areas. Forming a metal layer to cover the dielectric layer and the dummy structures. The metal layer is then electropolished to expose the non-recessed area.
L'invention concerne une structure semi-conductrices assurant des interconnexions métalliques (140) et un procédé de polissage électrolytique d'une couche métallique sur une structure semi-conductrice. Une structure semi-conductrice comporte notamment une couche diélectrique (151) présentant des zones évidées (151r) et des zones non évidées (151n), une couche métallique formée sur la structure remplit les zones évidées créant ainsi des lignes d'interconnexion, et une pluralité de structures factices (130) jouxtant les lignes d'interconnexion. Le procédé consiste notamment à former une couche diélectrique avec des zones évidées et non évidées sur une plaquette à semi-conducteur, des structures factices jouxtant les zones évidées, une couche métallique recouvrant la couche diélectrique et les structures factices, la couche métallique étant ensuit polie électrolytiquement de façon à exposer la zone non évidée.
Wang Hui
Yih Peihaur
Acm Research Inc.
Borden Ladner Gervais Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1865754