H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) H01L 29/423 (2006.01) H01L 29/788 (2006.01)
Patent
CA 2445592
A nonvolatile memory cell (80) is constructed with a charge transfer window (101) having a charge transfer region (101A) smaller than the minimum resolution feature size of used to construct the cell. The window (101) is constructed to the minimum feature size, but its layout position places it partly within the channel region of the cell and partly within a field oxide barrier wall (85b). The part of the window (101A) that lies within the channel region does not reach across the width of the channel to an apposing field oxide barrier wall (85a) and does not reach along the length of the channel region to either of opposedly laid source (91) and drain (93) regions. The oxide within the window (101) is evenly etched back to reveal the substrate (111) within the channel region. A thin tunneling oxide is then grown within the window (101), including the part of the window (101B) encompassing the field oxide barrier wall (85b).
L'invention concerne une cellule de mémoire non volatile (80) conçue avec une fenêtre de transfert de charge (101) possédant une zone de transfert de charge (101A) plus petite que la taille caractéristique de résolution minimale utilisée pour fabriquer cette cellule. La fenêtre (101) est conçue selon la taille caractéristique minimale, mais sa position d'implantation implique qu'elle se trouve en partie dans une zone de canal de la cellule et en partie dans une paroi barrière d'oxyde épais (85b). La partie de la fenêtre (101A) reposant à l'intérieur de la zone de canal ne couvre pas la largeur du canal et n'atteint pas une paroi barrière d'oxyde épais opposée (85a). Elle ne couvre pas non plus la longueur de la zone de canal et n'atteint pas les zones opposées de source (91) et de drain (93). L'oxyde dans la fenêtre (101) est gravé en retrait de façon uniforme en vue de dégager le substrat (111) dans la zone de canal. Un oxyde de pénétration par effet tunnel fin est alors développé à l'intérieur de la fenêtre (101), y compris la partie de la fenêtre (101B) renfermant la paroi barrière d'oxyde épais (85b).
Atmel Corporation
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1887338