Electrical barrier structure for semiconductor device

Details Electrical barrier structure for semiconductor device Electrical barrier structure for semiconductor device

H - Electricity

01

S

H01S 5/227 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01)

Patent

CA 2165683

A semiconductor device, preferably a laser device such as a signal generator, a signal amplifier or a sig- nal detector e.g. a distributed feedback laser, which is implemented in III/V semiconductors. Such devices of- ten require a barrier layer to encourage current flow to pass through the localised p/n-interface and this invention provides the barrier layer in the form of a layer of hole trapping semiconductor material located between and in contact with two p-type layers. III/V semiconductors con- tain at least one of indium, gallium and aluminium and at least one of phosphorus and arsenic but the preferred devices ate laser devices implemented in various types of indium phosphide except for the active zone wherein pho- tons are generated. The active zone is preferably formed of ternary and/or quaternary semiconductors. In the pre- ferred structures the barrier layer is formed of chromium doped indium phosphide which is located between two layers of p-type indium phosphide. Alternative structures have (a) titanium doped indium phosphide between two layers of p-type indium phosphide.

Dispositif à semiconducteurs, de préférence, un dispositif laser, tel qu'un générateur de signaux, un amplificateur de signaux ou un détecteur de signaux, par exemple un laser à rétroaction répartie, qui est mis en application dans des semiconducteurs III/V. Ces dispositifs nécessitent souvent une couche barrière, de façon à inciter le flux de courant à traverser l'interface p/n localisée et l'invention concerne la couche barrière sous forme d'une couche de matériau semiconducteur de piégeage de trous située entre deux couches de type p et en contact avec des dernières. Les semiconducteurs III/V contiennent au moins indium, gallium ou aluminium et au moins phosphore ou arsenic mais les dispositifs préférés sont des dispositifs laser mis en application dans différents types de phosphure d'indium à l'exception de la zone active de génération de photons. La zone active est, de préférence, constituée par des semiconducteurs ternaires et/ou quaternaires. Dans les structures préférées, la couche barrière est constituée par du phosphure d'indium dopé au chrome placé entre deux couches de phosphure d'indium de type p. D'autres modes de réalisation de structures comportent (a) du phosphure d'indium dopé au titane entre deux couches de phosphure d'indium de type p.

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