H - Electricity – 02 – M
Patent
H - Electricity
02
M
H02M 3/10 (2006.01) G05F 1/46 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01) H02M 3/155 (2006.01)
Patent
CA 2315020
An electrical circuit arrangement (G) for transforming (W) magnetic field energy (M) into electric field energy (E) has at least one first accumulator element (L) for magnetic field energy (M), a second accumulator element (C) for electric field energy (E), a semiconductor valve element (D) and an electrical switching element (S). According to the invention, the semiconductor material of which the semiconductor valve element (D) is made has a band gap (VB) of at least 2 eV and a breakdown field strength (EK) of at least 5*10~5 V/cm. The semiconductor material of which the semiconductor valve element (D) is made contains, in particular, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) or diamond (Cdia). The semiconductor valve element (D) is, in particular, a semiconductor diode, preferably a Schottky diode. Owing to the low dynamic switching losses of the semiconductor valve element (D) according to the invention, the electrical circuit arrangement (G) can be used with the smallest components even at high operating voltages and high switching frequencies.
L'invention concerne une configuration de circuit électrique (G) destinée à la transformation (W) d'une énergie de champ magnétique (M) en énergie de champ électrique (E). Cette configuration possède au moins un premier élément accumulateur (L) destiné à l'énergie magnétique (M), un deuxième élément accumulateur (C) destiné à l'énergie électrique (E), un élément valve à semiconducteur (D) et un élément de connexion électrique (S). Selon l'invention, le matériau semiconducteur dans lequel l'élement valve à semiconducteur (D) est réalisée, présente une largeur de bande interdite (VB) d'au moins 2 eV et une intensité de champ de claquage (EK) d'au moins 5*10^5 V/cm. Le matériau semiconducteur de l'élément valve à semiconducteur (D) contient notamment du carbure de silicium (SiC), du nitrure de gallium (GaN) ou du diamant (Cdia). L'élément valve à semiconducteur (D) est notamment une diode à semiconducteur, de préférence, une diode Schottky. Etant donné les faibles affaiblissements de commutation dynamiques de l'élément valve à semiconducteur (D) selon l'invention, la configuration de circuit électrique (G) dotée de composants compacts peut être utilisée même pour des tensions de fonctionnement élevées et des fréquences de commutation élevées.
Mitlehner Heinz
Munz Dieter
Schmidt Richard
Stephani Dietrich
Fetherstonhaugh & Co.
Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1645018