H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/115 (2006.01) G11C 11/56 (2006.01) H01L 27/24 (2006.01) H01L 45/00 (2006.01)
Patent
CA 2158959
The present invention comprises an electrically operated, directly overwritable, multibit, single-cell memory element. The memory element includes a volume of memory material (36) which defines the single cell memory element, a pair of spacedly disposed contacts (32, 34, 38, 40) for supply electrical input signals to set the memory material to a selected resistance value within a dynamic range, a filamentary portion controlling means disposed between the volume of memory material and at least one of the spacedly disposed contacts. The controlling means defining the size and the position of the filamentary portion during electrical formation of the memory element and limiting the size and confining the location of the filamentary portion during use of the memory element, thereby proving for a high current density within the filamentary portion of the single cell memory element upon input of a very low total current electrical signal to the spacedly disposed contacts.
L'invention concerne un élément de mémoire à cellule unique, fonctionnant électriquement, à écriture directement superposable et comportant des bits multiples. L'élément de mémoire comprend un volume de matériau de mémoire (36) définissant l'élément de mémoire à cellule unique, une paire de contacts disposés à distance (32, 34, 38, 40) produisant des signaux d'entrée électriques servant à régler le matériau de mémoire sur une valeur de résistance sélectionnée à l'intérieur d'une plage dynamique, un moyen de commande à partie en filament situé entre le volume de matériau de mémoire et au moins un des contacts situés à distance. Le moyen de commande définit la dimension et la position de la partie filament pendant la formation électrique de l'élément de mémoire et limite la dimension et l'emplacement de la partie filament pendant l'utilisation de l'élément de mémoire, ce qui produit une densité élevée de courant à l'intérieur de la partie filament de l'élément de mémoire à cellule unique au moment de l'entrée d'un signal de courant électrique à totalisation très faible vers les contacts disposés à distance.
Czubatyj Wolodymyr
Ovshinsky Stanford R.
Strand David A.
Ye Qiuyi
Energy Conversion Devices Inc.
Macrae & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1670274