G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/41 (2006.01) G11C 11/21 (2006.01) H01L 27/24 (2006.01) H01L 45/00 (2006.01)
Patent
CA 2229611
Disclosed herein is a solid state, directly overwritable, non-volatile high density, low cost, low energy, high speed, readily manufacturable, single cell memory element (30) having an increased thermal stability of data retention achieved by elementaly modifying Te-Ge-Sb semiconductor material (36). The memory element (30) exhibits orders of magnitude higher switching speeds at remarkably reduced switching current levels. The memory element (30) includes memory material (36) which is a transition metal modified chalcogen. The transition metal may be Nb, Pd, Pt and mixtures or alloys thereof. The memory material (36) may further include Fe, Cr, Ni and mixtures or alloys thereof. The novel memory element (30) disclosed herein is characterized by at least two stable and non-volatile detectable configurations of local atomic and/or electronic order, which configurations can be selectively and repeatably accessed by electrical input signals of designated energy levels.
L'invention concerne un élément de mémoire (30) à cellule unique, à l'état solide, directement recouvrable, non-volatile, à haute densité, à faible coût, à faible énergie, à vitesse élevée et de fabrication rapide. Cet élément de mémoire a une stabilité thermique accrue de rétention des données, obtenue par modification des éléments du matériau semi-conducteur Te-Ge-Sb (36). L'élément de mémoire (30) présente des ordres de grandeur de vitesse de commutation plus élévés pour des niveaux de courant de commutation substantiellement réduits. L'élément de mémoire (30) comprend un matériau de mémoire (36) qui est un chalcogène modifié par métal de transition. Le métal de transition peut être Nb, Pd, et leurs mélanges ou leurs alliages. L'élément de mémoire (30) est caractérisé par au moins deux configurations détectables, stables et non-volatiles, d'ordre local atomique et/ou électronique, ces configurations pouvant être atteintes de manière sélective et répétée par des signaux d'entrée électriques à des niveaux d'énergie préétablis.
Klersy Patrick.
Ovshinsky Standford R.
Strand David A.
Energy Conversion Devices Inc.
Macrae & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1434922