Electrically-eraseable programmable read-only memory having...

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G - Physics

11

C

G11C 16/04 (2006.01) G11C 16/08 (2006.01)

Patent

CA 2407888

By reducing the size of the blocks or pages (34) that are contained in a FLASH EEPROM array (30) that must be erased in a write or erase operation, the size of register needed is reduced, making it easier for the processor to handle smaller blocks of information (8 bytes), reducing the size and complexity of the microprocessor, and increasing the endurance of the FLASH EEPROM allowing it to be used in place of the state of the art EEPROM. Replacing mask ROM by flash EEPROM allows full testing of the code storage area as well as allowing customers to use that space for testing in their manufacturing procedures. The code used for testing can then be cleared and reprogrammed with the final code storage before final shipment.

La réduction de la taille des blocs ou pages (34) contenus dans une mémoire EEPROM FLASH (30) devant être effacée au cours d'une opération d'écriture ou d'effacement, permet de réduire la taille du registre nécessaire, ce qui facilite la gestion par l'unité de traitement de blocs d'informations plus petits (8 octets), et permet de réduire la taille et la complexité du microprocesseur et d'accroître la résistance de la mémoire EEPROM FLASH, cette dernière pouvant ainsi être utilisée à la place d'une EEPROM classique. Le remplacement d'une ROM masquée par une EEPROM FLASH permet de tester complètement la zone de stockage de codes et permet également aux clients d'utiliser cet espace pour les essais au cours de leurs procédures de fabrication. Le code utilisé pour les essais peut être effacé et reprogrammé, l'étape finale de stockage du code ayant lieu avant l'expédition finale.

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