Electrically pumped broadly tunable mid-infrared lasers...

H - Electricity – 01 – S

Patent

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H01S 5/00 (2006.01)

Patent

CA 2645416

Electrically pumped mid-IR semiconductor lasers that are operable at room temperature and possess a range of tunability up to 1100 nm, which constitutes a revolutionary (1-2 orders of magnitude) improvement in the range of tunability over existing semiconductor laser technology utilizing Doped quantum confined host material (DQCH) with characteristic spatial dimension of the confinement tuned to enable the overlap of the discrete levels of the host and impurity ions and efficient energy transfer from the separated host carriers to the impurity, wherein: said DQCH material has the formula TM:MeZ and/or MeX2Z4, wherein Me is selected from the group consisting of Zn, Cd, Ca, Mg, Sr, Ba, Hg, Pb, Cu, Al, Ga, In; Z is selected from the group consisting of S, Se, Te, O, N, P, As, Sb and their mixtures; X being selected from the group consisting of Ga, In, and Al; and TM is selected from the group consisting from V, Cr, Mn, Fe, Co, and Ni.

La présente invention concerne des lasers semi-conducteurs à IR moyen à pompage électrique qui peuvent fonctionner à la température ambiante et possèdent une gamme de réglage allant jusqu'à 1100 nm, lesquels constituent une amélioration révolutionnaire (ordres de grandeur de 1 à 2) en ce qui concerne la gamme de régulation par rapport à la technologie laser semi-conducteur existante utilisant un matériau hôte enduit confiné par quantum (DQCH) avec une dimension spatiale caractéristique du confinement réglé de façon à permettre le chevauchement des niveaux discrets de l'hôte et des ions d'impureté et un transfert d'énergie efficace provenant des supports d'hôtes séparés vers l'impureté, où : ledit matériau DQCH répond à la formule TM:MeZ et/ou MeX2Z4, où Me est choisi dans le groupe constitué par Zn, Cd, Ca, Mg, Sr, Ba, Hg, Pb, Cu, Al, Ga, In ; Z est choisi dans le groupe constitué par S, Se, Te, O, N, P, As, Sb et leurs mélanges ; X est choisi dans le groupe constitué par Ga, In et Al ; et TM est choisi dans le groupe constitué par V, Cr, Mn, Fe, Co et Ni.

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