H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/02 (2006.01) H01L 23/532 (2006.01) H01S 5/022 (2006.01) H01S 5/227 (2006.01)
Patent
CA 2339943
An electro-optical, ridge-waveguide device (10) and method for its fabrication utilizes a polyimide ridge-protection layer (116), which provides good ridge protection/planarization while minimizing parasitic capacitance. A silicon oxide interlayer (118) is used between a metal contact layer (112) and the polyimide. This interlayer facilitates the adhesion between the metal contact layer (112) and the underlying device (108) since good adhesion can be obtained between the silicon oxide layer and the polyimide layer and between the metal layer and silicon oxide layer. Preferably, the polyimide is roughened to increase the surface area contact between the polyimide layer (116) and silicon oxide layer (118) to further increase adhesion and thus the pull-off force required to separate the metal contact layer (122) from the device. While such roughening can be achieved through plasma etching, in a preferred embodiment, the polyimide layer (116) is roughened by patterned etching. Specifically, a patterned photoresist (154) is used as an etch- protection layer to form a series of wells in the polyimide layer that have a pitch between 1 and 20 microns.
L'invention porte sur un guide d'ondes nervuré électro-optique (10) et son procédé de fabrication consistant à recouvrir les nervures d'une couche de protection (116) assurant une bonne protection/planéité tout en réduisant les capacités parasites. On place entre la couche métallique de contact et le polyimide une couche intermédiaire (118) d'oxyde de silicium qui favorise l'adhérence entre la couche métallique de contact (112) et le dispositif (108) sous-jacent, car on obtient une bonne adhérence entre la couche d'oxyde de silicium et la couche de polyimide et entre la couche métallique et la couche d'oxyde de silicium. La couche de polyimide (116) est de préférence rendue rugueuse pour accroître sa surface de contact avec la couche (118) d'oxyde de silicium, en renforcer encore plus l'adhérence, et accroître la force nécessaire pour arracher la couche métallique (122) du dispositif. La rugosité peut s'obtenir par attaque au plasma ou mieux par attaque en relief. On utilise dans ce dernier cas comme couche de protection une photorésine (154) à motifs qui permet de former dans la couche de polyimide une série de puits espacés de 1 à 20 microns.
Lu Hanh
Qian Yi
Sahara Richard
Corning Lasertron Inc.
Lasertron Inc.
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
LandOfFree
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