G - Physics – 02 – F
Patent
G - Physics
02
F
G02F 1/01 (2006.01) G02F 1/015 (2006.01) G02F 1/017 (2006.01) H04B 10/04 (2006.01)
Patent
CA 2215811
In an electroabsorption optical intensity modulator a semiconductor buffer a first semiconductor cladding layer, a semiconductor optical absorption layer, a second semiconductor cladding layer and a semiconductor cap layer are formed on a semiconductor substrate. Also, a first electrode is formed on the second semiconductor cap layer, and a second electrode is formed on a second surface of the semiconductor substrate. The semiconductor optical absorption layer includes a first semiconductor optical absorption layer element having a first absorption edge wavelength and a second semiconductor optical absorption layer element having a second absorption edge wavelength different from the first absorption edge wavelength.
Dans un modulateur d'intensité optique à électro-absorption, un séparateur de semiconducteur, une couche d'absorption optique de semiconducteur, une deuxième couche de revêtement de semiconducteur et une couche d'encapsulation de semiconducteur sont formés sur un substrat de semiconducteur. En outre, une première électrode est formée sur la couche d'encapsulation de semiconducteur, et une deuxième électrode est formée sur une deuxième surface du substrat de semiconducteur. La couche d'absorption optique de semiconducteur comprend un premier élément d'absorption optique de semiconducteur ayant une première longueur d'onde de discontinuité d'absorption et un deuxième élément d'absorption optique de semiconducteur ayant une deuxième longueur d'onde de discontinuité d'absorption différente de la première.
Corporation Nec
G. Ronald Bell & Associates
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1821773