Electrochemical device

Details Electrochemical device Electrochemical device

C - Chemistry, Metallurgy

02

F

C02F 1/467 (2006.01)

Patent

CA 2579079

An electrochemical device comprising: (a) a semiconductor layer, wherein the semiconductor is silicon or silicon carbide, and where the layer has a thickness from 1 to 1000 ~m; (b) a TiO2 layer on the semiconductor layer, where the layer may include an alkaline earth oxide MO up to an amount where the layer is MtiO3, and where the layer has a thickness from 5 nm to 1 mm; (c) a grid of inert metal on the TiO2 layer, arranged so as to be able to apply a electric field across the TiO2 layer; and (d) an ohmic contact on the semiconductor layer.

L~invention porte sur un dispositif électrochimique comprenant : (a) une couche semi-conductrice, où le semi-conducteur est en silicium ou en carbure de silicium, et où la couche a une épaisseur comprise entre 1 et 1000 µm ; (b) une couche de TiO2 sur la couche semi-conductrice, où la couche peut comprendre un oxyde de terre alcaline MO jusqu~à une quantité où la couche est MtiO3, et où la couche a une épaisseur comprise entre 5 nm et 1 mm; (c) un réseau de métal inerte sur la couche de TiO2, disposé de façon à pouvoir appliquer un courant électrique de part et d~autre de la couche de TiO2 ; et (d) un contact ohmique sur la couche semi-conductrice.

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