H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/285 (2006.01) H01L 29/43 (2006.01) H01L 29/45 (2006.01) H01S 5/042 (2006.01)
Patent
CA 2328907
An electrode for a semiconductor device which can be excellently die-bonded or wire-bonded to a sub-mount, wherein the electrode is formed on a semiconductor in ohmic contact therewith and comprises an underlying layer electrode (E1) formed on the semiconductor in a layered structure and an overlying layer electrode (E2) covering the top and/or side surface of the underlying layer electrode (E1), and the overlying layer electrode is formed by a vapor deposition device or a sputtering device which has a holder tilted with respect to the electrode material and capable of rotating and revolving.
L'invention concerne une électrode pour dispositif à semi-conducteur pouvant être soudé efficacement par la puce ou les connexions à une embase. L'électrode est formée sur un semi-conducteur, en contact ohmique avec celui-ci, et comporte une électrode sous-jacente stratifiée (E¿1?) formée sur le semi-conducteur et se présentant sous la forme d'une structure stratifiée, et une électrode sus-jacente stratifiée (E¿2?) recouvrant la surface supérieure et/ou inférieure de l'électrode sous-jacente stratifiée (E¿1?). L'électrode sus-jacente stratifiée est formée au moyen d'un dispositif de métallisation sous vide ou d'un dispositif de pulvérisation cathodique présentant une enceinte inclinée par rapport au matériau d'électrode et pouvant décrire un mouvement de rotation et de révolution.
Nakajima Akifumi
Toyosaki Koichi
Tsukiji Naoki
Smart & Biggar
The Furukawa Electric Co. Ltd
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1935958