G - Physics – 01 – P
Patent
G - Physics
01
P
G01P 15/125 (2006.01) G01D 3/06 (2006.01) G01D 5/24 (2006.01) G01D 5/241 (2006.01) G01P 15/08 (2006.01)
Patent
CA 2185532
A sensing electrode (24, 26) on a glass layer (14, 16) of an anodically-bonded capacitive sensor (10) has an interfacial barrier film (46) containing a nitride compound between the electrode (24, 26) and the glass layer (14, 16). In one embodiment, the capacitive sensor (10) is an inertial sensor having a sensing element (20) hingedly mounted to a frame (18) which is anodically bonded to the glass layer (14, 16). The sensing electrode (24, 26) is then located on a surface of the glass layer (14, 16) facing the sensing element (20). The sensing element (20) and the frame (18) are preferably made of silicon and the interfacial film (46) is preferably silicon nitride.
Une électrode de sonde (24, 26) sur une couche de verre (14, 16) d'une sonde capacitive (10) à liaison anodique comporte, à l'interface entre l'électrode (24, 26) et la couche de verre (14, 16), une pellicule barrière (46) à base d'un composé de nitrure. Dans une réalisation, la sonde capacitive (10) est du type inertiel, l'élément capteur (20) étant monté en relation articulée sur un châssis (18) disposant d'une liaison anodique avec la couche de verre (14, 16). L'électrode de sonde (24, 26) est placée dans ce cas sur une surface de la couche de verre (14, 16) en face de l'élément capteur (20). Cet élément capteur ainsi que le châssis (18) sont de préférence fabriqués en silicium, et la pellicule d'interface (46) est de préférence en nitrure de silicium.
Litton Systems Inc.
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1510962