H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/146 (2006.01)
Patent
CA 2182366
An electromagnetic radiation imaging device comprising an energy absorbing layer overlying an array of thin film transistors (TFTs). Each of the thin film transistors incorporates a dual gate. The lower gate provides row selection, while the upper gate of the same device modulates current conducted by the transistor. By utilizing dual gates, a reduction in the number of transistors is achieved over prior art imaging devices, thereby increasing production yield. Furthermore, the use of dual gate transistors provides increased versatility in choosing the bias point of the transistors.
Dispositif d'imagerie par rayonnement électromagnétique comprenant une couche d'absorption d'énergie recouvrant un réseau de transistors à couches minces. Chacun des transistors à couches minces présente une double grille. La grille inférieure permet une sélection des rangées, tandis que la couche supérieure du même dispostif module le courant conduit par le transistor. Le fait d'utiliser des doubles grilles permet une réduction du nombre de transistors par rapport à des dispositifs d'imagerie actuels, augmentant ainsi le rendement de la production. De plus, l'utilisation de transistors à doubles grilles permet une polyvalence accrue dans le choix du point de polarisation des transistors.
Singh Surendra
Waechter David
Ifire Technology Corp.
Litton Systems (canada) Limited
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1420975