H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/027 (2006.01) H01J 37/317 (2006.01)
Patent
CA 2131670
An electron beam system for direct writing applications combining the parallel throughput of a projection system and the stitching capability of a probe-forming system employs an electron gun to illuminate an initial aperture uniformly, a first set of controllable deflectors to scan the beam over the reticle parallel to the system axis, impressing the pattern of a subfield of the reticle in each exposure, in which a first variable axis lens focuses an image of the initial aperture on the reticle, a second variable axis lens collimates the patterned beam, a second set of controllable deflectors to bring the beam back to an appropriate position above the wafer, and a third variable axis lens to focus an image of the reticle subfield on the wafer, together with correction elements to apply aberration corrections that may vary with each subfield, thereby providing high throughput from the use of parallel processing of the order of 10 7 pixels per subfield with the low aberration feature of the variable axis lens and the ability to tailor location-dependent corrections that are associated with gaussian systems that stitch the image pixel by pixel.
Système à faisceau électronique pour applications à écriture directe joignant le débit parallèle d'un système de projection et la capacité de pointage d'un système formant sonde; le système utilise un canon électronique pour éclairer uniformément une ouverture initiale, un premier jeu de déflecteurs commandés pour balayer le faisceau au-dessus du réticule parallèle à l'axe du système, empreignant le motif d'un sous-champ du réticule dans chaque exposition, dans lequel une première lentille à axe variable concentre une image de l'ouverture initiale sur le réticule, une deuxième lentille à axe variable collimate le faisceau modelé, un deuxième jeu de déflecteurs commandés ramène le faisceau à une position appropriée au-dessus de la plaquette, et une troisième lentille à axe variable concentre une image du sous-champ du réticule sur la plaquette, avec des éléments de correction pour appliquer des corrections d'aberration qui peuvent varier avec chaque sous-champ, fournissant de cette façon un débit élevé d'utilisation du traitement parallèle de l'ordre de 10 7 pixels par sous-champ avec l'élément de faible aberration des lentilles à axe variable et la possibilité d'adapter les corrections dépendantes de l'emplacement qui sont associées aux systèmes gaussiens qui pointent l'image pixel par pixel.
Pfeiffer Hans C.
Stickel Werner
International Business Machines Corporation
Saunders Raymond H.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1457913