Electron source

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H - Electricity

01

J

H01J 37/077 (2006.01) H01J 3/02 (2006.01)

Patent

CA 2468760

The invention concerns a source supplying an adjustable energy electron beam, comprising a plasma chamber (P) consisting of an enclosure (1) having an inner surface of a first value (S1) and an extraction gate (2) having a surface of a second value (S2), the gate potential being different from that of the enclosure and adjustable. The invention is characterized in that the plasma is excited and confined in multipolar or multidipolar magnetic structures, the ratio of the second value (S2) over the first value (S1) being close to: D = 1/.beta. .sqroot.2.pi.me/mi exp (-1/2), wherein:.beta. is the proportion of electrons of the plasma P, me the electron mass, and mi is the mass of positively charged ions.

L'invention concerne une source fournissant un faisceau d'électrons d'énergie réglable, comprenant une chambre à plasma (P) constituée d'une enceinte (1) ayant une surface interne d'une première valeur (S¿1?) et d'une grille d'extraction (2) ayant une surface d'une seconde valeur (S¿2?), le potentiel de la grille étant différent de celui de l'enceinte et étant réglable, caractérisée en ce que le plasma est excité et confiné dans des structures magnétiques multipolaires ou multidipolaires, le rapport de la seconde valeur (S¿2?) sur la première valeur (S¿1?) étant proche de (formule) où : .beta. est le taux d'électrons du plasma P, m¿e? la masse de l'électron, et m¿i? est la masse des ions chargés positivement.

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