H - Electricity – 03 – K
Patent
H - Electricity
03
K
H03K 17/687 (2006.01) H03K 17/16 (2006.01)
Patent
CA 2296403
An analogue switch formed on a semiconductor substrate comprises input and output ports (204, 205), and a first enhancement mode MOS transistor (201) formed in an isolated well in the substrate material and having its gate (G) connected to receive a control signal (207), and having one end (S) of its conducting channel and its well (W) connected to the input port (204). A second enhancement mode MOS transistor (202) is formed in an isolated well in the substrate, and has one end (S) of its conducting channel and its well (W) connected to the input port (204), and has its gate (G) connected to the other end (D) of the conducting channel of the first transistor (201). A third enhancement mode MOS transistor (203) is formed in an isolated well in the substrate, and has its gate (G) connected to receive the complement (208) of the said control signal, and has its conducting channel (D, S) connected between the output port (205) and the other end (D) of the conducting channel of the second transistor (202), and has its well (W) connected to one of the supply lines (OV) of the switch. Control means (210) are connected to the gate (G) of the second transistor (202) for maintaining the second transistor (202) in an opposite state to that of the first transistor (201).
Un interrupteur analogique formé sur un substrat à semi-conducteur comprend des ports d'entrée et de sortie (204, 205) ainsi qu'un premier transistor MOS (201) à enrichissement formé dans un puits isolé prévu dans le matériau de substrat, une porte (G) de ce transistor étant connectée pour recevoir un signal (207) de commande alors qu'une extrémité (S) de son chemin conducteur et son puits (W) sont connectés au port d'entrée (204). Un deuxième transistor MOS (202) à enrichissement est formé dans un puits isolé prévu sur le substrat, ce deuxième transistor comportant une extrémité (S) de son chemin conducteur et son puits (W) qui sont connectés au port d'entrée (204) alors que sa porte (G) est connectée à l'autre extrémité (D) du chemin conducteur du premier transistor (201). Un troisième transistor MOS (203) à enrichissement est formé dans un puits isolé prévu sur le substrat, ce troisième transistor comprenant une porte (G) qui est connectée pour recevoir la partie complémentaire (208) du signal de commande, alors que son chemin conducteur (D, S) est connecté entre le port de sortie (205) et l'autre extrémité (D) du chemin conducteur du deuxième transistor (202); son puits (W) étant connecté à une des lignes d'alimentation (OV) de l'interrupteur. Des dispositifs de commande (210) sont reliés à la porte (G) du deuxième transistor (202) pour maintenir le deuxième transistor (202) dans un état opposé à celui du premier transistor (201).
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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