H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/28 (2006.01) H01L 21/4763 (2006.01) H01L 23/29 (2006.01) H01L 23/31 (2006.01)
Patent
CA 2401702
A hermetically coated device (10) includes an integrated semiconductor circuit die (16), a first layer comprising an inorganic material, the first layer (300) enveloping the integrated circuit die (16), a second layer (400), the second layer (400) enveloping the integrated semiconductor circuit die (16). Formation of such device includes steps of providing an integrated semiconductor circuit die (16), applying a first layer (300) comprising an inorganic material, the first layer (300) enveloping integrated semiconductor circuit die (16), and applying a second layer (400), the second layer (400) enveloping the integrated semiconductor circuit die (16).
Un dispositif revêtu hermétiquement comprend une puce de circuits à semi-conducteur intégrés, une première couche comprenant un matériau inorganique, la première couche enveloppant la puce de circuits à semi-conducteur intégrés, une seconde couche, la seconde couche enveloppant la puce de circuits à semi-conducteur intégrés. La formation de ce dispositif comprend les étapes consistant à produire une puce de circuits à semi-conducteur intégrés, à appliquer une première couche contenant un matériau inorganique, la première couche enveloppant la puce de circuits à semi-conducteur intégrés, et à appliquer une seconde couche, la seconde couche enveloppant la puce de circuits à semi-conducteur intégrés.
Dehaven Jennifer L.
Featherby Michael
Macrae & Co.
Maxwell Electronic Components Group Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1456758