Electronic pulse detection apparatus and electronic pulse...

G - Physics – 01 – J

Patent

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G01J 1/02 (2006.01) G01N 21/64 (2006.01) G01N 23/203 (2006.01) G01T 1/20 (2006.01) H01J 43/24 (2006.01) H01L 27/14 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01) H04N 5/30 (2006.01) H04N 5/32 (2006.01) H04N 3/15 (2006.01)

Patent

CA 2461302

An electronic pulse detection apparatus includes an MCP having a plurality of capillaries arranged in a matrix for increasing the number of electrons and an electronic pulse read out chip (30) arranged at the output side of this MCP. The electronic pulse detection chip (30) has anodes (32) and detection transistors (34) arranged to correspond to capillaries. An electron pulse comes into the anode (32) from the MCP. Each of the detection transistors (34) has a drain connected to a corresponding anode. The detection transistors (34) have gates of each line connected to one another so as to be turned on/off by line and sources of each row connected to a switch circuit (80) and are connected via the switch circuit (80) to a current/voltage conversion resistance RL. The current/voltage conversion resistance RL converts into voltage the current flowing when an electronic pulse comes into the anode (32), and inputs the voltage to an operational amplifier (90). Thus, it is possible to detect weak light and radioactive rays two-dimensionally.

L'invention concerne un appareil de détection d'impulsions électroniques qui comprend une plaque de microcanaux (MPC) possédant une pluralité de capillaires situés dans une matrice afin d'augmenter le nombre d'électrons, ainsi qu'une puce de lecture d'impulsions électroniques (30) située du côté sortie de cette plaque de microcanaux. Cette puce de détection d'impulsions électroniques (30) possède des anodes (32) et des transistors de détection (34) situés de façon à correspondre aux capillaires. Une impulsion électronique arrive dans l'anode (32) à partir de la plaque de microcanaux. Chaque transistor de détection (34) possède un drain relié à une anode correspondante. Les transistors de détection (34) possèdent des grilles pour chaque ligne reliées entre elles de façon à être branchées/débranchées par ligne, des sources pour chaque rangée reliées à un circuit de commutation (80), et sont reliés par l'intermédiaire du circuit de commutation (80) à une résistance R<SB>L</SB> de conversion courant/tension. Cette résistance R<SB>L</SB> de conversion courant/tension convertit en tension le courant passant lorsqu'une impulsion électronique arrive dans l'anode (32), et introduit la tension dans un amplificateur opérationnel (90). Ainsi, il est possible de détecter une faible lumière ou de faibles rayons radioactifs dans deux dimensions.

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