H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/363 (2006.01)
Patent
CA 2677312
The present invention corresponds to the use of p and n-type oxide semiconductors based on copper nickel (OCux Niy , with 0<x<3; 0<y< 3) or multicomponent Gallium- Tin-Zinc-Copper-Titanium oxide, designated here after as GSZTCO, in different molar compositions, having an amorphous or crystalline structure and with the electrical characteristics of a donor or electron acceptor semiconductor, doped or not doped with impurities, such as, Zirconium or nickel or nitrogen, as a way to control the semiconductor electronic behaviour (valence); including the manufacture process at room temperature or temperatures below 100OC and their applications in optoelectronic and electronic fields is to manufacture devices, such as, Complementary-Metal-Oxide-Semiconductors, thin film transistors, pn heterojunctions, logic gates, O-ring oscillators, using as substrate glass, metal foils, polymers or cellulose materials, in which a protection layer based on magnesium fluoride is used, together with a tantalum oxide matching layer of the active semiconductors to a dielectric, such as, silicon dioxide.
La présente invention correspond à l'utilisation de semi-conducteurs à oxyde de type p et n à base de nickel cuivre (OCux Niy, avec 0<x<3 ; 0<y<3) ou d'oxydes multicomposants de Gallium-Etain-Zinc-Cuivre-Titane, désignés ici par GSZTCO, dans des compositions molaires différentes, ayant une structure amorphe ou cristalline et avec les caractéristiques électriques d'un semi-conducteur donneur ou accepteur d'électrons, dopé ou non dopé avec des impuretés, telles que du zirconium, du nickel ou de l'azote, comme moyen de commander le comportement électronique du semi-conducteur (valence) ; comprenant le procédé de fabrication à température ambiante ou à des températures en dessous de 100°C et leurs applications dans les domaines de l'optoélectronique et de l'électronique pour fabriquer des dispositifs, tels que des semi-conducteurs complémentaires à l'oxyde de métal, des transistors à couches minces, des hétérojonctions pn, des portes logiques, des oscillateurs à joint torique, à l'aide d'un verre de substrat, de feuilles métalliques, de polymères ou de matières cellulosiques, une couche de protection à base de fluorure de magnésium étant utilisée, conjointement avec une couche d'appariement d'oxyde de tantale des semi-conducteurs actifs à un diélectrique, tel que du dioxyde de silicium.
Correia Fortunato Elvira Maria
Ferraeo de Paiva Martins Rodrigo
Moffat & Co.
Universidade Nova de Lisboa
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1880181