C - Chemistry – Metallurgy – 25 – D
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
25
D
C25D 3/38 (2006.01) C25D 5/18 (2006.01) C25D 5/54 (2006.01) C25D 7/12 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) H01L 23/52 (2006.01) H05K 3/42 (2006.01)
Patent
CA 2721841
One subject of the present invention is an electroplating composition intended in particular for coating a semiconductor substrate with copper, serving to fabricate structures of the through-via type for producing interconnects in integrated circuits. According to the invention, said solution contains copper ions with a concentration between 14 and 120 mM and ethylenediamine, the ethylenediamine/copper molar ratio being between 1.80 and 2.03 and the pH of the electroplating solution being between 6.6 and 7.5. Another subject of the present invention is the use of said electroplating solution for depositing a copper seed layer and the process for depositing a copper seed layer using the electroplating solution according to the invention.
La présente invention a pour objet une composition d'électrodéposition destinée notamment à revêtir avec du cuivre un substrat semi-conducteur servant à fabriquer des structures de type via traversant pour la réalisation d'interconnections dans des circuits intégrés. Selon l'invention, ladite solution comprend des ions de cuivre en concentration comprise entre 14 et 120 mM ainsi que de l'éthylènediamine, le rapport molaire entre l'éthylènediamine et le cuivre étant compris entre 1,80 et 2,03 et le pH de la solution d'électrodéposition étant compris entre 6,6 et 7,5. La présente invention a également pour objet l'utilisation de ladite solution d'électrodéposition pour le dépôt d'une couche de germination de cuivre ainsi que le procédé de dépôt d'une couche de germination de cuivre à l'aide de la solution d'électrodéposition selon l'invention.
Raynal Frederic
Zahraoui Saied
Alchimer
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1434378