C - Chemistry – Metallurgy – 25 – D
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
25
D
C25D 5/24 (2006.01) C25D 3/38 (2006.01) C25D 5/54 (2006.01) C25D 7/12 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01)
Patent
CA 2622917
The invention concerns an electroplating composition in particular for coating a barrier layer for copper diffusion in the manufacture of interconnects for integrated circuits. The invention is characterized in that said composition comprises dissolved in a solvent: a source of copper ions, in a concentration ranging between 0.4 and 40 mM; at least one copper complexing agent selected from the group consisting of primary aliphatic amines, secondary aliphatic amines, tertiary aliphatic amines, aromatic amines, nitrogen-containing heterocycles and oximes; the mol ratio between the copper and the complexing agent(s) ranging between 0.1 and 2.5, preferably between 0.3 and 1.3; the pH of said composition being less than 7, preferably ranging between 3.5 and 6.5.
La présente invention a pour objet une composition d'électrodéposition destinée notamment à revêtir une couche barrière de diffusion au cuivre dans la fabrication d'interconnexions pour des circuits intégrés. Selon l'invention, cette composition comprend, en solution dans un solvant : une source d'ions du cuivre, en une concentration comprise entre 0,4 et 40 mM ; au moins un agent complexant du cuivre choisi dans le groupe comprenant les aminés aliphatiques primaires, les aminés aliphatiques secondaires, les aminés aliphatiques tertiaires, les aminés aromatiques, les hétérocycles azotés et les oximes ; le rapport molaire entre le cuivre et le (s) agent (s) complexant (s) étant compris entre 0,1 et 2,5 ; de préférence entre 0,3 et 1,3 ; le pH de ladite composition étant inférieur à 7, de préférence compris entre 3,5 et 6,5. Application : domaine de la microélectronique.
Daviot Jerome
Gonzalez Jose
Alchimer
Norton Rose Or S.e.n.c.r.l. S.r.l./llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1554288