H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/60 (2006.01) H01L 27/02 (2006.01)
Patent
CA 2362428
Electrical connection pads (3) for integrated semiconductor circuits have a protective diode formed by a doped region (13) located in a well (55) of opposite doping and another protective diode formed by well (59) which surrounds another doped region (15) of the same doping type as a contact area and is surrounded by another well (57) of oppositive doping. The doped regions are connected to the pad and are continuous, narrow strips extending at or along a portion of the peripheriy of the pad. Also the well for which the other doped region serves as a contact has s strip-shape and is located at the periphery of the pad. The other (15) doped region is also used as a contact for forming an electrical resistor connected to an input/output path of the integrated circuit, the resistor being formed in the well (59) surrounding the other doped region and another contact of the resistor being formed by a further doped region (45) of the same doping type, also having a strip-shape and located in the same well, thus at the periphery ofthe pad and beneath a marginal portion of the pad. The resistor will thereby not require any extra space.
Des plages (3) de connexion électrique destinées à des circuits semi-conducteurs intégrés comportent une diode qui est formée par une région dopée (13) située dans un puits (55) dopé de manière opposée et une autre diode de protection qui est formée par un puits (59) qui entoure une autre région dopée (15) ayant le même type de dopage telle qu'une zone de contact et qui est entourée par un autre puits (57) dopé de manière opposée. Les régions dopées sont reliées à la plage et se présentent sous forme de bandes étroites continues qui s'étendent au niveau de la périphérie de la plage ou le long d'une partie de cette dernière. En outre, le puits pour lequel l'autre région dopée sert de contact se présente sous forme de bande et se trouve situé au niveau de la périphérie de la plage. L'autre région dopée (15) fait également office de contact pour former une résistance électrique connectée à un chemin d'entrée/sortie du circuit intégré, la résistance étant formée dans le puits (59) qui entoure l'autre région dopée et un autre contact de la résistance étant formé par une autre région dopée (45) qui a le même type de dopage, se présente également sous forme de bande et qui se trouve située dans le même puits, c'est-à-dire à la périphérie de la plage et sous une partie marginale de cette dernière. La résistance ne nécessite donc pas de place supplémentaire.
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1779209