H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/60 (2006.01) G01N 27/414 (2006.01) H05F 3/00 (2006.01)
Patent
CA 2181591
Methods, apparatus and chip fabrication techniques are described which provide electrostatic discharge (ESD) protection to ion-sensitive field effect transistors (ISFET) based device (250) used to selectively measure ions in liquid (299). According to one aspect of the invention, an ESD protection circuit, made up of conventional protective elements (201, 202, 206), is integrated onto the same silicon chip on which ISFET (250) is formed, along with interface (203) that is in contact with liquid (299) being measured and which does not open up paths for D.C. leakage currents between ISFET (250) and liquid (299). According to a preferred embodiment of the invention, a capacitor structure is used as interface (203) between protection circuit (201, 202, 206) and liquid sample (299). Further aspects of the invention are directed to methods per se for providing ESD protection for ISFET sensors utilizing interface means (203) (e.g., capacitor structure) referred to hereinabove, and processes for fabricating the novel interface on a silicone wafer.
L'invention se rapporte à des procédés, un appareil et des techniques de fabrication de puces qui assurent la protection de dispositifs (250) à base de transistors à effet de champ sensibles aux ions (TECSI) contre la décharge électrostatique (DES), utilisés pour mesurer sélectivement des ions dans un liquide (299). Selon un aspect de l'invention, un circuit de protection DES, constitué d'éléments protecteurs traditionnels (201, 202, 206), est intégré sur la puce même de silicium sur laquelle est formé le dispositif TECSI (250), ainsi que d'une interface (203) qui se trouve en contact avec le liquide (299) en train d'être mesuré et qui n'ouvre pas de voies aux courants de fuite continus entre le dispositif TECSI (250) et le liquide (299). Selon un mode préféré de réalisation de l'invention, une structure de condensateur est utilisée comme interface (203) entre un circuit de protection (201, 202, 206) et un échantillon liquide (299). D'autres aspects de l'invention concernent des procédés en soi assurant la protection de détecteurs à TECSI contre la décharge électrostatique (DES) à l'aide d'une interface (203) (par ex. structure de condensateur) mentionnée ci-dessus, et des procédés de fabrication de la nouvelle interface sur une tranche de silicium.
Baxter Ronald D.
Connery James G.
Fogel John D.
Silverthorne Spencer V.
Honeywell Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1845891