H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/06 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) G01K 7/01 (2006.01) G01N 27/414 (2006.01) H01L 29/66 (2006.01)
Patent
CA 2601001
An atomic scale electroconductivity device with electrostatic regulation includes a perturbing species having a localized electronic charge, A sensing species having an electronic conductivity is placed in proximity to the perturbing species at a distance sufficient to induce a change in the electronic conductivity associated with the localized electronic charge. Electronics are provided to measure the conductivity via the sensing species. A temporally controlled atomic scale transistor is provided by biasing a substrate to a substrate voltage with respect to ground. A dangling bond extending from a substrate atom has a charge state from among a charge state group. The charge state varies in units of single electron addition or withdrawal. A grounded electrical contact is provided within a localized electronic charge in proximity to the dangling bond. A sensing species having an electronic conductivity is also placed in proximity to the dangling bond. A sensing species contact biased with respect to said substrate is provided such that varying the substrate voltage modifies the charge state of the substrate atom at one electron unit of charge and still within the charge state group for the substrate atom. The dangling bond functions as a single atom gate electrode. By placing the dangling bond in an array of sensing species, an atomistic multi-channel gate transistor is formed. A process for operating an electrostatically regulated atomic scale electroconductivity device includes charging a perturbing atomic or molecular species having a localized electronic charge associated therewith so as to induce an electrostatic field. By monitoring electronic conductivity through a sensing atom or molecule in proximity to the electrostatic field, an atomic scale device is formed.
La présente invention a trait à un dispositif d'électroconductivité à l'échelle atomique à régulation électrostatique comportant une espèce de perturbation ayant une charge électronique localisée. Une espèce de détection ayant une conductivité électronique est disposée à proximité de l'espèce de perturbation à une distance suffisante pour induire une modification dans la conductivité électronique associée à la charge électronique localisée. Des dispositifs électroniques sont prévus pour la mesure de la conductivité via l'espèce de détection. Un transistor à l'échelle atomique à commande temporelle est prévu par la polarisation d'un substrat vers une tension de substrat par rapport à la masse. Une liaison pendante s'étendant depuis un atome de substrat présente un état de charge parmi un groupe d'états de charge. L'état de charge varie en unités d'addition ou de retrait d'électrons simples. Un contact électrique mis à la masse est prévu dans la charge électronique localisée à proximité de la liaison pendante. Une espèce de détection ayant une conductivité électronique est également disposée à proximité de la liaison pendante. Un contact d'espèce de détection polarisé par rapport au dit substrat est prévu de sorte que la variation du substrat modifie l'état de charge de l'atome de substrat à une unité d'électron de charge et toujours à l'intérieur du groupe d'états de charge pour l'atome de substrat. La liaison pendante fonctionne comme une électrode de grille à atome simple. Grâce au placement de la liaison pendante dans un réseau d'espèces de détection, un transistor de grille à canaux multiples atomistique est formé. L'invention a également trait à un procédé pour le fonctionnement d'un dispositif d'électroconductivité à l'échelle atomique à régulation électrostatique comprenant la charge d'une espèce atomique ou moléculaire de perturbation ayant une charge électronique localisée associée à celle-ci en vue d'induire un champ électrostatique. Grâce au contrôle de la conductivité électronique à travers un atome ou une molécule de détection à proximité du champ électrostatique, un dispositif à l'échelle atomique est formé.
Dilabio Gino A.
Pitters Jason L.
Piva Paul G.
Wolkow Robert A.
National Research Council Of Canada
Ridout & Maybee Llp
The Governors Of The University Of Alberta
LandOfFree
Electrostatically regulated atomic scale electroconductivity... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Electrostatically regulated atomic scale electroconductivity..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Electrostatically regulated atomic scale electroconductivity... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-2000808