Emitter ballast bypass for radio frequency power transistors

Details Emitter ballast bypass for radio frequency power transistors Emitter ballast bypass for radio frequency power transistors

H - Electricity

01

L

H01L 27/06 (2006.01) H01L 29/73 (2006.01) H03F 3/189 (2006.01) H03F 3/24 (2006.01)

Patent

CA 2213611

An apparatus and method are provided for bypassing the emitter ballast resistors of a power transistor, thereby increasing transistor gain. In a power transistor of the interdigitated type, bypassing the emitter ballast resistors requires bypassing each individual ballast resistor with a capacitor in parallel. Bypassing is therefore done on the silicon chip. More particularly, in accordance with one embodiment of the invention, an RF power transistor includes a silicon die, an emitter ballast resistor (13) formed on the silicon die, and a bypass capacitor (40) formed on the silicon die and connected in parallel with the emitter ballast resistor (13). The resistor may be a diffused resistor, and the capacitor may be a metal-on-polysilicon capacitor. In accordance with another embodiment of the invention, a method is provided for increasing the gain of an RF transistor formed on a silicon chip and having an emitter ballast resistor formed on the silicon chip, in which a capacitor is formed on the silicon chip and connected in parallel with the ballast resistor.

La présente invention concerne un dispositif et un procédé permettant de contourner les résistances de protection de l'émetteur d'un transistor de puissance, ce qui augmente son gain. Dans le cas d'un transistor de puissance du type interdigité, le contournement des résistances de protection de l'émetteur exige le contournement de chaque résistance de protection au moyen d'un condensateur monté en parallèle. C'est pourquoi le contournement se fait sur la puce de silicium. Plus particulièrement, selon un mode de réalisation de l'invention, un transistor de puissance HF comprend une puce de silicium, une résistance (13) de protection de l'émetteur formée sur la puce de silicium et un condensateur de contournement (40) formé sur la puce de silicium et relié en parallèle à la résistance (13) de protection de l'émetteur. La résistance peut être réalisée par diffusion et le condensateur peut être un condensateur du type métal sur polysilicium. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, on met en oeuvre un procédé visant à augmenter le gain d'un transistor HF formé sur une puce de silicium et ayant une résistance de protection de l'émetteur également formée sur la puce de silicium, ce transistor comportant un condensateur formé sur la puce de silicium et relié en parallèle à la résistance de protection.

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Profile ID: LFCA-PAI-O-1452553