Engineered structure for solid-state light emitters

Details Engineered structure for solid-state light emitters Engineered structure for solid-state light emitters

H - Electricity

01

L

H01L 29/12 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2635303

An engineered structure of a light emitting device comprises multiple layers of alternating active and buffer materials disposed between AC or DC electrodes, which generate an electric field. The active layers comprise luminescent centers, e.g. group IV semiconductor nanocrystals, in a host matrix, e.g. a wide bandgap semiconductor or dielectric material such as silicon dioxide or silicon nitride. The buffer layers are comprised of a wide bandgap semiconductor or dielectric material, and designed with a thickness, in the direction of an applied electric field, that ensures that electrons passing therethrough picks up enough energy to excite the luminescent centers in the adjacent active layer at an excitation energy to emit light efficiently at a desired wavelength.

La structure technique selon l~invention pour un dispositif émetteur de lumière comprend de multiples couches alternées de matériaux actif et tampon disposées entres des électrodes en CA ou en CC, qui génèrent un champ électrique. Les couches actives comprennent des centres luminescents, par exemple des nanocristaux semi-conducteurs du groupe IV, dans une matrice hôte, par exemple un matériau semi-conducteur à large bande interdite ou diélectrique comme le dioxyde de silicium ou le nitrure de silicium. Les couches tampons sont constituées d~un matériau semi-conducteur à large bande interdite ou diélectrique, et sont conçues avec une épaisseur, dans la direction d~un champ électrique appliqué, qui garantit que les électrons les traversant accumulent suffisamment d~énergie pour exciter les centres luminescents de la couche active adjacente à une énergie d'excitation pour émettre efficacement de la lumière à une longueur d'onde désirée.

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