Enhanced light-emitting diode

Details Enhanced light-emitting diode Enhanced light-emitting diode

H - Electricity

01

L

H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2412421

A Light Emitting Diode (LED) constructed of AlGaInP compounds includes a multi layer window which improves the efficiency of the diode. The window, in the order of formation, includes a lightly doped first layer (207) formed of p doped GaP; a low impedance second layer (208) formed of p GaAs; an amorphous conducting layer (209) formed of Indium Tin Oxide (ITO), and a titanium/gold contact (210). In one embodiment, the contact forms ohmic connections with the second and third layers; and a Shottky diode connection with first layer. In a second embodiment, the contact forms an ohmic connection with the third layer, and is insulated from direct contact with the first layer.

La présente invention concerne une diode photoémissive (LED) construite à partir de composés AlGaInP, qui comprend une fenêtre multicouche améliorant l'efficacité de cette diode. Cette fenêtre comprend, dans l'ordre de sa construction, une première couche (207) faiblement dopée constituée de GaP p dopée, une deuxième couche (208) à faible impédance constituée de p GaAs, une couche (209) conductrice amorphe constituée d'oxyde d'étain indium (ITO), et un contact (210) titane/or. Dans un mode de réalisation de l'invention, l contact forme des connexions ohmiques avec la deuxième et la troisième couche, et une connexion de diode Shottky avec la première couche. Dans un second mode de réalisation de l'invention, le contact forme une connexion ohmique avec la troisième couche, et il est isolé d'un contact directe avec la première couche.

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