H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) H01L 31/0328 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01) H01L 31/075 (2006.01) H01L 31/10 (2006.01)
Patent
CA 2474556
The present invention includes a photodiode (10) having a first p-type semiconductor layer (14) and an n-type semiconductor layer (18) coupled by a second p-type semiconductor layer (16). The second p-type semiconductor layer (16) has graded doping along the path of the carriers. In particular, the doping is concentration graded from a high value (15) near the anode to a lower p concentration (17) towards the cathode (22). By grading the doping in this way, an increase in absorption is achieved, improving the responsivity of the device. Although this doping increases the capacitance relative to an intrinsic semiconductor of the same thickness, the pseudo electric field that is created by the graded doping gives the electrons a very high velocity which more than compensates for this increased capacitance.
La présente invention concerne une photodiode présentant une première couche semi-conductrice de type p et une couche semi-conductrice de type n couplées par une seconde couche semi-conductrice de type p. La seconde couche semi-conductrice de type p présente un dopage graduel le long du chemin des porteurs de charge. En particulier, le dopage présente une concentration graduelle, allant d'une valeur élevée près de l'anode à une concentration p inférieure en direction de la cathode. Du fait dudit dopage graduel, une augmentation d'absorption est obtenue, laquelle améliore la sensibilité du dispositif. Bien que ledit dopage augmente la capacitance relativement à un semi-conducteur intrinsèque de la même épaisseur, le champ pseudo-électrique qui est créé par le dopage graduel donne aux électrons une vitesse très élevée qui compense largement cette capacitance augmentée.
Ko Cheng C.
Levine Barry
Macrae & Co.
Picometrix Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2090423